作者：徐風，編輯：小市妹

(資料圖片)

年初以來爆火的人工智能，催生了一批超級大牛股，從下游應用領域的傳媒、游戲，到上游硬件領域的光模塊，漲幅翻倍的公司比比皆是。

但是，表現最強的，是來自存在感稍弱的存儲芯片板塊。今年以來，科創板上市公司佰維存儲漲幅超過5倍，在A股5000多家公司中排名第一。

作為國內少數同時掌握NAND Flash、DRAM存儲器研發設計與封測制造的企業，佰維存儲牛冠A股的背后，映射出存儲芯片困境反轉的預期，和國產替代的大勢所趨。

【拐點將至】

2022年，存儲芯片價格一路下跌，從云端跌向谷底。

研究機構的數據顯示，制造硬盤的NAND閃存芯片價格指數去年全年下跌了41%，制造內存條的DRAM芯片價格指數下跌35%。其中第四季度兩種存儲芯片的跌幅高達20%~25%，創下了2008年以來的最大季度跌幅記錄。

存儲芯片是半導體行業最大的細分板塊，2021年全球市場規模超過1500億美元，占半導體總規模的35%左右。

美聯儲持續加息和全球宏觀經濟逆風背景下，半導體行業去年經歷了近10年來最嚴重的衰退，而庫存可能處于歷史最高水平的存儲芯片，受到的沖擊無疑最為嚴重。

面對行業不景氣和極其糟糕的業績壓力，SK海力士、美光、三星等全球存儲芯片大廠不得不下調資本開支，給出供給收縮預期。根據Gartner最新預測數據，全球半導體行業資本開支2023年約為1372億美元，同比下滑19.0%；

一邊是供給收縮，另一邊是增量需求的涌現。

伴隨著通訊技術不斷迭代，萬物互聯已成時代浪潮，數據也呈現指數級別增長：

資料顯示，全球數據量從2010年的2ZB（1ZB代表十萬億億個字節）增長到2021年的將近60ZB，十年時間翻了30倍，并預計2025年將繼續增長至175ZB。其中互聯網全球領先的中國，無疑將成為全球最大的數據圈。到2025年，中國數據量預計將增長至48.6ZB，占全球數據量的27.8%。

海量數據的涌現，正是當下人工智能爆發的前提和基石，同時極大地刺激了存儲的需求。

從歷史經驗來看，存儲芯片下跌周期一般在2年左右，其價格漲跌跟美元利率以及全球宏觀經濟景氣度關系密切。

2021年下半年至今，存儲芯片價格已經下跌了18個月，DRAM和NAND Flash兩大內存芯片價格下跌周期長達20個月之久。

按照過往規律，存儲價格預計在今年第二季度到達谷底，隨著美聯儲加息預期減弱帶來的經濟復蘇預期，以及增量需求的大量涌現，行業有望在三季度之后觸底反彈，完成困境反轉。

【國產替代再迎契機】

中國是存儲芯片消費的第一大國。2021年，我國存儲芯片的市場規模達到5494億元，占全球存儲芯片市場份額超過55%。

但是，中國存儲市場大部分都被外資品牌占據，國產存儲芯片占比不足10%。目前，全球存儲芯片的產能高度集中于日韓美等國家，其中DRAM主要被三星、海力士和美光三家壟斷，2021年CR3達到94%，NAND Flash被三星、鎧俠、海力士以及美光等六家廠商壟斷，CR6為93%。

對于習慣了后發趕超的中國制造來講，存儲芯片領域較低的國產化率，本身就意味著較大的國產替代的空間，而自主可控和地緣因素，更為國產替代提供了重要契機。

3月31日晚間，國家互聯網信息辦公室下設的“網絡安全審查辦公室”宣布，對美光公司在華銷售的產品實施網絡安全審查。

美光是美國存儲芯片龍頭，是全球第二大DRAM產商和第五大NAND廠商，截至2022年底，美光在全球DRAM和NAND閃存市場分別占據23%、10.7%的份額。

作為全球最大的存儲芯片公司之一，美光被中國政府審查，其實遠不止是安全問題。

最近幾年來，不斷有媒體爆出，美光是打壓中國存儲芯片產業的“幕后推手”。2018年至2022年，美光花了954萬美元用于游說，目的就是為了打擊中國的存儲制造產業。

中國市場對美光極其重要。2018年，美光在中國一年的營收達到173.57億美元，占到該公司當年總收入的58%，這也是美光害怕中國存儲崛起的重要原因。

中國政府審查美光的底氣，無疑是來自國產存儲的崛起。

事實上，美光近年來在華銷售收入已經大幅下降，2022年下降到33億美元，占公司營收比重只有11%，存儲芯片的國產替代已是大勢所趨。

【誰能扛起大旗？】

如果美光在中國的業務受限，首先受益的自然是利基存儲市場。

利基存儲主要包含4Gb DDR4及以下的DRAM，2D NAND及NOR Flash、EEPROM等品類，毛利較低，市場規模遠小于主流儲存產品，但是相應技術壁壘也相對較低，國外巨頭正在逐步退出這部分競爭，國內存儲芯片設計公司正在逐步崛起。

在利基存儲領域，兆易創新無疑是成長最快、實力最強的公司。

兆易創新的存儲芯片營收中70%來自NOR閃存、利基型DRAM占比18%，其余小部分為NAND閃存，公司目前產品布局主要面向IPC、機頂盒、掃地機器人等物聯網領域利基市場需求。

2012年到2021年，兆易創新NOR閃存全球市占率從3.4%提升至23%，排名全球第三，僅次于旺宏和華邦，NOR營收的年化復合增速高達30%左右。

▲來源：財信證券

在利基型DRAM車用存儲領域，北京君正通過并購獲得了后發趕超的優勢。

2020年，北京君正72億收購北京硅成半導體，后者在全球全球車用DRAM市場有15%的市場份額，居全球第二位，僅次于美光的40%，正是美光的國內市場的重要替代者。

但是，利基市場規模實在太小。2021年，NAND全球市場規模超過600億美元，DRAM市場規模超過800億，而NOR全球市場規模僅31億美元，利基型DRAM也不過74億，顯然，光靠利基市場顯然并不能真正實現儲存芯片的國產替代，國產儲存要真正崛起，還是得在主流產品領域和外國巨頭直接競爭。

在主流的DRAM和NAND領域，兆易創新其實也有布局，并且已經取得一定進展，這是A股存儲龍頭未來的重大看點之一，但是目前其市場份額太小，還不足以和國外巨頭競爭。

真正具備一定實力、能直接和國外巨頭抗衡的，是兩家還未上市的重要公司，成立于2016年的長鑫存儲和長江存儲。其中長鑫存儲主攻DRAM內存，長江存儲主攻NAND閃存。

長鑫存儲最先進的量產芯片主要是19nm工藝的DDR4，和國際巨頭相比落后5-6年。但是DRAM正在逐漸逼近10nm的天花板，其性能和技術提升的速度已經大幅放緩，這給長鑫存儲等國產DRAM產業的加速追趕提供了難得的機遇期。

目前，長鑫存儲國內市場份額估計已超過3%，初步打破了國際巨頭對DRAM的壟斷。

相對而言，國產NAND閃存的進程更快一些。

2019年，長江存儲64層3D NAND閃存量產，這是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品，標志著中國在3D NAND閃存領域逐步進入國際一流梯隊，而中國制造的優勢，也提升了國產NAND閃存的性價比。

最近兩年來，在存儲芯片的下行周期中，采用國產NAND閃存顆粒的固態硬盤（SSD）憑借超高的性價比逆勢崛起，部分采用長江存儲顆粒的2T SSD產品已降價至600元以下，甚至比三星的1T SSD還便宜。

2021年，長江存儲在NAND領域的全球市占率已經達到4%，2022年估算達到7%，已經具備強大的行業競爭力。

自主可控的背景下，國內存儲芯片企業要最終實現國產替代，國內上下游產業鏈的日益完善，是不可或缺的重要一環。

在上游設備領域，存儲芯片對光刻機要求不高，但對刻蝕機要求比較高。一定程度上講，中微公司在刻蝕機領域的崛起，是我國存儲芯片行業的救命稻草。

目前，中微公司的刻蝕機最先進制程已經達到3nm，幾乎可以滿足最先進的存儲芯片的生產。

下游的存儲模組行業，江波龍和百維存儲在全球市場也有較強競爭力，其中江波龍司eMMC及UFS在全球市場占有率為6.5%，全球第六，國內第一，佰維存儲全球市占率2.4%，全球第八，國內第二。

兩家公司的主要供應商，都包括美光。一旦美光被制裁，國內存儲芯片企業有可能贏得更多的國內下游市場。

存儲芯片的國產替代，如今已是國家戰略，兆易創鑫、江波龍和佰維存儲都陸續獲得了國家大基金的投資，持股比例都在5%以上。

今年3月，國家大基金二期入股長江存儲，認繳出資額高達128.87億元人民幣，持股比例超過12%。

科技自強、自主可控的舉國體制下，國產存儲芯片的春天，就在眼前。

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